Chip nhớ flash mới giúp tăng số bit trên cell từ 2 đến 3 lần.
Hôm nay, Western Digital (WD) công bố bắt đầu sản xuất bộ nhớ flash NAND 3D mật độ cao nhất trong ngành công nghiệp, loại chip được xếp chồng 64 lớp và cho phép lưu trữ 3 bit dữ liệu trong mỗi cell.
Các chip flash NAND 3D dựa trên cách xếp chồng theo chiều dọc hay công nghệ 3D mà WD và đối tác Toshiba gọi là BiCS (Bit Cost Scaling). WD đã triển khai sản xuất thử nghiệm chip NAND 3D 512 gigabit (Gb) đầu tiên của mình, dựa trên công nghệ flash NAND 64 lớp.
Theo cách tương tự, một tòa nhà cao tầng cho phép mật độ lớn hơn trên một diện tích nhỏ, xếp chồng các cell flash NAND - so với dạng phẳng hay bộ nhớ 2D - giúp các nhà sản xuất gia tăng mật độ, hạ giá thành cho mỗi gigabyte dung lượng. Công nghệ này cũng làm tăng độ tin cậy dữ liệu và cải thiện tốc độ của bộ nhớ thể rắn (SSD).
NAND 3-chiều cho phép các nhà sản xuất khắc phục những hạn chế vật lý của flash NAND, như kích thước bóng bán dẫn đã đạt đến 10 nanomet và rất khó có khả năng thu nhỏ chúng.
Các chip NAND 3D mới nhất được dùng để sản xuất các ổ SSD dính-trên-bo-mạch có dung lượng hơn 3.3TB, và những ổ SSD 2.5 inch tiêu chuẩn có dung lượng hơn 10TB.
Năm 2014, Samsung trở thành công ty đầu tiên tuyên bố sản xuất hàng loạt chip flash 3D. Công nghệ của họ, được gọi là V-NAND, ban đầu được xếp chồng 32 lớp flash NAND. V-NAND của Samsung cũng "nhồi nhét" 3 bit trên mỗi cell, khi đó trong ngành công nghiệp gọi là NAND triple-level cell (TLC) hay NAND multi-level cell (MLC). Do Samsung sử dụng bộ nhớ TLC, chip của hãng có thể lưu trữ tương đương với chip NAND 3D 48 lớp ban đầu của Toshiba, khả năng lưu trữ 128Gb hay 16GB.
Intel và Micron cũng sản xuất NAND 3D. WD giới thiệu công nghệ NAND 3D 64 lớp đầu tiên trên thế giới hồi tháng 7 năm 2016.
Tiến trình sản xuất thử nghiệm chip mới NAND 3D 64 lớp của WD diễn ra tại nhà máy chế tạo Yokkaichi, Nhật Bản. Công ty lên kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm 2017.
"Sự ra mắt chip NAND 3D 64 lớp 512Gb đầu tiên của ngành công nghiệp là một bước tiến quan trọng đánh dấu sự tiến bộ trong công nghệ NAND 3D của chúng tôi, gấp đôi mật độ so với lúc chúng tôi giới thiệu kiến trúc 64 lớp đầu tiên trên thế giới hồi tháng 7 năm 2016", tiến sĩ Siva Sivaram, phó chủ tịch điều hành công nghệ bộ nhớ của WD, nêu trong bài phát biểu.