San Jose, California, ngày 19/7/2018 - Toshiba Memory America Inc. (TMA), công ty con có trụ sở tại Mỹ của Toshiba Memory Corporation, công bố phát triển mẫu flash BiCS (bit cost scaling) 96 lớp, loại bộ nhớ flash 3-chiều (3D) độc quyền của Toshiba, bằng công nghệ 4 bit trên mỗi cell (quad level cell - QLC). Với thành tựu quan trọng này, Toshiba cho thấy vị trí dẫn đầu công nghệ trên thị trường lưu trữ thông qua việc cung cấp công nghệ, thúc đẩy dung lượng bộ nhớ đơn chip lên mức cao nhất.
Flash BiCS QLC mới của Toshiba giúp tăng đáng kể dung lượng bằng cách nâng số lượng bit dữ liệu trên mỗi cell bộ nhớ từ 3 lên 4. Sản phẩm mới sẽ mang dung lượng cao nhất trong ngành công nghiệp với 1.33Tb (terabit) cho một chip đơn, và kiến trúc xếp chồng 16 die trong một chip đơn tạo ra dung lượng 21.28Tb, tức 2.66TB (terabyte).
Số lượng ứng dụng cần bộ nhớ lớn tiếp tục tăng lên, được cung cấp bởi các khối lưu trữ dữ liệu khổng lồ, phục vụ cho nhu cầu truy cập và phân tích theo thời gian thực. Truyền thông xã hội, ổ đĩa thể rắn (SSD), điện toán ranh giới (edge computing), ứng dụng doanh nghiệp và thị trường trung tâm dữ liệu đang phát triển nhanh chóng nằm trong số những lĩnh vực đòi hỏi dung lượng lưu trữ lớn hơn. Với sự ra mắt công nghệ QLC 96 lớp, Toshiba Memory cho phép sản xuất các sản phẩm có thể bắt kịp đà phát triển của thị trường lưu trữ.
Công nghệ QLC từ lâu đã là một phần trong chiến lược lộ trình về các giải pháp bộ nhớ flash cỡ nhỏ, mật độ cao của Toshiba: công ty là đơn vị đầu tiên thảo luận công khai công nghệ QLC (tại Hội nghị Bộ nhớ Flash 2016) và cũng là một trong những đơn vị đầu tiên phát triển bộ nhớ flash 3D sử dụng công nghệ này.
"Chúng tôi là một trong những công ty đầu tiên trong ngành công nghiệp đưa ra dự đoán và chuẩn bị cho việc chuyển đổi công nghệ từ SLC (single level cell) sang MLC (multi level cell), từ MLC sang TLC (triple level cell), và bây giờ là từ TLC sang QLC", phó chủ tịch cấp cao thuộc bộ phận kinh doanh bộ nhớ của TMA, Scott Nelson nói. "Sự phát triển công nghệ này khiến cho các tùy chọn đóng gói chip ngày càng dày đặc hơn, và QLC sẽ có tác động làm thay đổi cuộc chơi trên nhiều thị trường khác nhau".
Mẫu bộ nhớ QLC mang tính đột phá của Toshiba sẽ bắt đầu xuất xưởng vào đầu tháng 9 cho các nhà cung cấp SSD và bộ điều khiển SSD, nhằm mục đích đánh giá và phát triển. Quá trình sản xuất hàng loạt dự kiến bắt đầu vào năm 2019. Ngoài ra, mẫu đóng gói chip sẽ được triển lãm tại Hội nghị Bộ nhớ Flash 2018, diễn ra từ ngày 6 đến 9/8 ở Santa Clara, California, Mỹ.